31.碲化氫-H2Te,>99,999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。

32二氯二氫硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。

33.三氯氫硅-SiHCl3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。

34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。

35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

36.二甲基鋅(CH5)2Zn,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。

37.二乙基鋅(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中擴散,鍺的外延生長和離子注入工藝；PCl3是有機物的良好氯化劑；也用于含磷有機物的合成。

39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中的外延和離子注入。

40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等離子干刻、擴散；作硼載氣及一些有機反應的催化劑；精煉鎂、鋅、鋁、銅合金時從溶化金屬中除掉氮、碳、氧化合物。

41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。

42.四氯化錫-SnCl4,>99.99%,用于外延、離子注入。

43.四氯化鍺-GeCl4,>99.999%,用于離子注入。

44.四氯化欽-TiCl4,>99.99%,用于等離子干刻。

45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、離子注入。

46.五氯化銻-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、離子注入。

47.六氯化鑰-MoCl6,>99.9%,用于化學氣相淀積。

48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中離子注入工序和制備光導纖維。

49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、離子注入。

50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于擴散工序。

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