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工業稀有氣體用途與特性2
發布日期:2023-02-14
來源:工業稀有氣體用途與特性2
21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半導體制備工藝中化學氣相淀積。
22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入等工序;磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體,可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。
23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入等工序。
24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、氧化等工序;用于有些化學工業合成過程:如氫硼化反應(即生成醇類),有機功能的衰退,制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
25.鍺烷-GeH4,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
26.銻烷-SbH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;還用于冶金工業的熱處理,化學工業中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。
29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;另外,用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的原料。
30.硒化氫-H2Se,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。
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